Продукція > STMICROELECTRONICS > VNS1NV04DPTR-E
VNS1NV04DPTR-E

VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics

en.CD00269563.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.34 грн
5000+45.49 грн
7500+44.96 грн
12500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - VNS1NV04DPTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, Verlustleistung: 4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції VNS1NV04DPTR-E за ціною від 45.59 грн до 98.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics VNS1NV04DP-E.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 2; SMD; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.33Ω
Number of channels: 2
Output current: 1.7A
Output voltage: 40V
Case: SO8
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics en.CD00269563.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 15401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+68.80 грн
25+62.38 грн
100+51.95 грн
250+48.80 грн
500+46.90 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMICROELECTRONICS SGSTS49909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNS1NV04DPTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 13515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics en.CD00269563.pdf Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E ST en.CD00269563.pdf Transistor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR VNS1NV04DPTR-E TVNS1nv04d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DP-E.pdf
VNS1NV04DPTR-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 2; SMD; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.33Ω
Number of channels: 2
Output current: 1.7A
Output voltage: 40V
Case: SO8
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E en.CD00269563.pdf
VNS1NV04DPTR-E
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 15401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.41 грн
10+68.80 грн
25+62.38 грн
100+51.95 грн
250+48.80 грн
500+46.90 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E SGSTS49909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VNS1NV04DPTR-E
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNS1NV04DPTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 13515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E en.CD00269563.pdf
VNS1NV04DPTR-E
Виробник: STMicroelectronics
Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DPTR-E en.CD00269563.pdf
Виробник: ST
Transistor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR VNS1NV04DPTR-E TVNS1nv04d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.