VP0109N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.22 грн |
| 25+ | 66.66 грн |
| 100+ | 60.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP0109N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VP0109N3-G за ціною від 58.14 грн до 121.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 90V 8Ohm |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0109N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| VP0109N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
VP0109N3-G THT P channel transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |