,TO-226_straightlead.jpg "VP0109N3-G")
VP0109N3-G Microchip Technology
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 72.76 грн |
| 25+ | 58.96 грн |
| 100+ | 53.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP0109N3-G Microchip Technology
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -0.5A; 1W; TO92, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -90V, Pulsed drain current: -0.5A, Power dissipation: 1W, Case: TO92, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8Ω, Mounting: THT, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VP0109N3-G за ціною від 55.74 грн до 115.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
 MOSFET 90V 8Ohm |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0109N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -90V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -90V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|