VP0109N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.49 грн |
| 25+ | 62.83 грн |
| 100+ | 57.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP0109N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VP0109N3-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VP0109N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 90V 8Ohm |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VP0109N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VP0109N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
VP0109N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
VP0109N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| VP0109N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 90V 8Ohm
MOSFETs 90V 8Ohm
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VP0109N3-G |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP0109N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP0109N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP0109N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)