VP0109N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -90V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -90V
Drain current: -0.25A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1W
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.84 грн |
| 13+ | 73.64 грн |
| 25+ | 67.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP0109N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VP0109N3-G за ціною від 62.95 грн до 95.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0109N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 90V 8Ohm |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
VP0109N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |