VP0808L-G


VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf
Код товару: 149245
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції VP0808L-G за ціною від 103.03 грн до 180.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VP0808L-G VP0808L-G Microchip Technology VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
25+114.41 грн
100+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808L-G Microchip Technology VP0808B082313-3443957.pdf MOSFETs 80V 5Ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808L-G MICROCHIP VP0808%20B082313.pdf Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G Microchip Technology VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.63 грн
25+152.28 грн
100+136.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.81 грн
25+114.41 грн
100+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808B082313-3443957.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 80V 5Ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808%20B082313.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.63 грн
25+152.28 грн
100+136.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.