VP0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -280mA; Idm: -3A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -0.28A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 119.08 грн |
| 5+ | 98.98 грн |
| 11+ | 83.51 грн |
| 25+ | 78.10 грн |
| 100+ | 76.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VP0808L-G за ціною від 102.44 грн до 157.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0808L-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 80V 5Ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VP0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
VP0808L-G Код товару: 149245
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|