Інші пропозиції VP0808L-G за ціною від 103.03 грн до 180.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VP0808L-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP0808L-G | Microchip Technology |
MOSFETs 80V 5Ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
VP0808L-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VP0808L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| VP0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.81 грн |
| 25+ | 114.41 грн |
| 100+ | 103.03 грн |
| VP0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 80V 5Ohm
MOSFETs 80V 5Ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VP0808L-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 180.63 грн |
| 25+ | 152.28 грн |
| 100+ | 136.75 грн |





