VP2106N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.62 грн |
| 25+ | 34.53 грн |
| 100+ | 31.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP2106N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції VP2106N3-G за ціною від 26.56 грн до 81.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP2106N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 12Ohm |
на замовлення 4574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VP2106N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| VP2106N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 12Ohm
MOSFETs 60V 12Ohm
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.20 грн |
| VP2106N3-G |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 45.08 грн |
| 25+ | 42.75 грн |
| 100+ | 40.34 грн |
| 1000+ | 26.56 грн |
| VP2106N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 59.47 грн |
| 25+ | 49.92 грн |
| 100+ | 45.54 грн |
| VP2106N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 219+ | 64.62 грн |
| 500+ | 54.08 грн |
| 1000+ | 53.56 грн |
| 3000+ | 51.13 грн |
| VP2106N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 174+ | 81.66 грн |
| VP2106N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)