VP2106N3-G

VP2106N3-G Microchip Technology


vp0106.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
464+26.84 грн
482+25.82 грн
496+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 464
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VP2106N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції VP2106N3-G за ціною від 26.90 грн до 77.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : Microchip Technology vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.75 грн
26+27.66 грн
100+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : Microchip Technology vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
323+38.61 грн
500+35.43 грн
1000+34.90 грн
3000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : MICROCHIP 2337825.pdf Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.46 грн
25+38.32 грн
100+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : Microchip Technology VP2106%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.03 грн
25+38.40 грн
100+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : Microchip Technology VP2106B082313-3444195.pdf MOSFETs 60V 12Ohm
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.09 грн
10+46.96 грн
25+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY VP2106%20B082313.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.25A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1W
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.45 грн
9+45.29 грн
25+37.36 грн
100+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY VP2106%20B082313.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.25A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.33 грн
6+56.43 грн
25+44.83 грн
100+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Виробник : Microchip Technology vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.