VP2106N3-G Microchip Technology


vp0106.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
324+43.67 грн
500+39.58 грн
1000+38.77 грн
3000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VP2106N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm.

Інші пропозиції VP2106N3-G за ціною від 32.72 грн до 70.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology VP2106%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
25+36.04 грн
100+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.47 грн
25+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology VP2106B082313.pdf MOSFETs 60V 12Ohm
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G MICROCHIP 2337825.pdf Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106%20B082313.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.40 грн
25+36.04 грн
100+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G vp0106.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.47 грн
25+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G vp0106.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106B082313.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 12Ohm
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G 2337825.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G vp0106.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.