Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VP2110K1-G
VP2110K1-G

VP2110K1-G Microchip Technology

VP2110%20B082313.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VP2110K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

Інші пропозиції VP2110K1-G за ціною від 40.79 грн до 64.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VP2110K1-G VP2110K1-G Microchip Technology VP2110%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.17 грн
25+44.68 грн
100+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G VP2110K1-G MICROCHIP 2607058.pdf Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.30 грн
25+50.05 грн
100+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G VP2110K1-G Microchip Technology VP2110B082313-3444299.pdf MOSFETs 100V 12Ohm
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.73 грн
25+53.05 грн
100+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G VP2110%20B082313.pdf
VP2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.17 грн
25+44.68 грн
100+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G 2607058.pdf
VP2110K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+60.30 грн
25+50.05 грн
100+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2110K1-G VP2110B082313-3444299.pdf
VP2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 100V 12Ohm
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+64.73 грн
25+53.05 грн
100+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.