VP2110K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 46.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP2110K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VP2110K1-G за ціною від 44.07 грн до 67.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VP2110K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 10726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2110K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 100V 12Ohm |
на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
VP2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
VP2110K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |