Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VP2110K1-G
VP2110K1-G

VP2110K1-G Microchip Technology

VP2110%20B082313.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VP2110K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції VP2110K1-G за ціною від 38.83 грн до 59.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VP2110K1-G VP2110K1-G Виробник : MICROCHIP VP2110%20B082313.pdf Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+51.66 грн
25+ 45.41 грн
100+ 39.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
VP2110K1-G VP2110K1-G Виробник : Microchip Technology VP2110%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.19 грн
25+ 43.98 грн
100+ 40.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
VP2110K1-G VP2110K1-G Виробник : Microchip Technology VP2110_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2887798.pdf MOSFET 100V 12Ohm
на замовлення 6175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.68 грн
25+ 48.92 грн
100+ 38.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
VP2110K1-G VP2110K1-G Виробник : Microchip Technology vp2110b082313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
VP2110K1-G VP2110K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY vp2110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VP2110K1-G VP2110K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY vp2110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній