Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VP2206N3-G-P003
VP2206N3-G-P003

VP2206N3-G-P003 Microchip Technology

VP2206%20E082313.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.40 грн
25+144.04 грн
100+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VP2206N3-G-P003 Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 740mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції VP2206N3-G-P003

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
VP2206N3-G-P003 VP2206N3-G-P003 Microchip Technology VP2206%20E082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G-P003 VP2206N3-G-P003 Microchip Technology VP2206E082313.pdf MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G-P003 VP2206%20E082313.pdf
VP2206N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G-P003 VP2206E082313.pdf
VP2206N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.