Інші пропозиції VP2450N8-G за ціною від 105.66 грн до 247.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
MOSFETs 500V 30Ohm |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VP2450N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VP2450N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.99 грн |
| 25+ | 116.11 грн |
| 100+ | 105.66 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 182.23 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 198.13 грн |
| 500+ | 193.30 грн |
| 2000+ | 188.64 грн |
| 4000+ | 177.57 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 247.97 грн |
| 59+ | 242.33 грн |
| 100+ | 238.71 грн |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 30Ohm
MOSFETs 500V 30Ohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






