Інші пропозиції VP2450N8-G за ціною від 104.35 грн до 256.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-g | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0.8A; 1.6W Case: SOT89-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 2000pcs. On-state resistance: 30Ω Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -160mA Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -500V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA |
на замовлення 4618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
MOSFETs 500V 30Ohm |
на замовлення 1923 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VP2450N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 113.87 грн |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0.8A; 1.6W
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2000pcs.
On-state resistance: 30Ω
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: -160mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -500V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0.8A; 1.6W
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2000pcs.
On-state resistance: 30Ω
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: -160mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -500V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 145.07 грн |
| 19+ | 133.86 грн |
| 25+ | 128.77 грн |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.65 грн |
| 25+ | 120.47 грн |
| 100+ | 109.65 грн |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 30Ohm
MOSFETs 500V 30Ohm
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.28 грн |
| 25+ | 132.09 грн |
| 2000+ | 104.35 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 188.74 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 205.21 грн |
| 500+ | 200.20 грн |
| 2000+ | 195.38 грн |
| 4000+ | 183.91 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 256.82 грн |
| 59+ | 250.99 грн |
| 100+ | 247.23 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







