Інші пропозиції VP2450N8-G за ціною від 108.16 грн до 248.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VP2450N8-g | Microchip Technology |
MOSFETs 500V 30Ohm |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VP2450N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VP2450N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 112.32 грн |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.48 грн |
| 25+ | 118.84 грн |
| 100+ | 108.16 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 182.64 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 198.57 грн |
| 500+ | 193.73 грн |
| 2000+ | 189.06 грн |
| 4000+ | 177.96 грн |
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 248.52 грн |
| 59+ | 242.87 грн |
| 100+ | 239.24 грн |
| VP2450N8-g |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 30Ohm
MOSFETs 500V 30Ohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VP2450N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






