VP3203N3-G Microchip Technology
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 176+ | 73.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP3203N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - MOSFET, P-KANAL, -0,65A, -30V, TO-92-3, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VP3203N3-G за ціною від 74.88 грн до 191.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 30V 0.6Ohm |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| VP3203N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - MOSFET, P-KANAL, -0,65A, -30V, TO-92-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| VP3203N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
VP3203N3-G THT P channel transistors |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |