VP3203N3-G Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 110.16 грн |
| 250+ | 103.65 грн |
| 500+ | 101.12 грн |
| 1000+ | 93.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
130 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP3203N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 740mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Інші пропозиції VP3203N3-G за ціною від 87.95 грн до 175.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 30V 0.6Ohm |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VP3203N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 740mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 120.24 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.14 грн |
| 25+ | 98.14 грн |
| 100+ | 88.58 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 30V 0.6Ohm
MOSFETs 30V 0.6Ohm
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.96 грн |
| 25+ | 111.26 грн |
| 100+ | 87.95 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.22 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 142.22 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 163.47 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 163.47 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 175.64 грн |
| VP3203N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






