на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 517.35 грн |
| 10+ | 408.13 грн |
| 100+ | 286.56 грн |
| 500+ | 255.19 грн |
| 1000+ | 225.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-100BGQ100HN4 Vishay
Description: DIODE SCHOTTK 100V 100A POWERTAB, Packaging: Tube, Package / Case: PowerTab®, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1320pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100A, Supplier Device Package: PowerTab®, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-100BGQ100HN4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-100BGQ100HN4 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE SCHOTTK 100V 100A POWERTABPackaging: Tube Package / Case: PowerTab® Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1320pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: PowerTab® Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |