
VS-10ETF04-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 164.96 грн |
10+ | 99.13 грн |
100+ | 67.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF04-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V.
Інші пропозиції VS-10ETF04-M3 за ціною від 70.61 грн до 165.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETF04-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V |
на замовлення 8028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|