VS-10ETF04-M3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.71 грн |
| 10+ | 91.17 грн |
| 100+ | 61.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF04-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VS-10ETF04-M3 за ціною від 67.53 грн до 158.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETF04-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220ACCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 8028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|