
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 72.23 грн |
14+ | 44.82 грн |
100+ | 41.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF10-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-10ETF10-M3 за ціною від 71.18 грн до 249.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETF10-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V |
на замовлення 4509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-10ETF10-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VS-10ETF10-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |