VS-10ETF10-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.39 грн |
| 10+ | 149.84 грн |
| 100+ | 103.93 грн |
| 500+ | 79.12 грн |
| 1000+ | 73.20 грн |
| 2000+ | 68.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF10-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VS-10ETF10-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETF10-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3 |
товару немає в наявності |