VS-10ETF10S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF10S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-10ETF10S-M3 за ціною від 80.55 грн до 80.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETF10S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
VS-10ETF10S-M3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 10A 310ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |