Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF10STRL-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VS-10ETF10STRL-M3 за ціною від 73.71 грн до 73.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VS-10ETF10STRL-M3 | Vishay |
Diode Switching 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| VS-10ETF10STRL-M3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.71 грн |



