
VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.35 грн |
50+ | 83.82 грн |
100+ | 79.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12-M3 за ціною від 72.39 грн до 175.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETF12-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VS-10ETF12-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |