VS-10ETF12-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.76 грн |
| 10+ | 150.74 грн |
| 25+ | 68.89 грн |
| 100+ | 68.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12-M3 за ціною від 53.69 грн до 211.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETF12-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 5061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|