VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.81 грн |
| 50+ | 99.65 грн |
| 100+ | 89.79 грн |
| 500+ | 68.07 грн |
| 1000+ | 62.86 грн |
| 2000+ | 58.48 грн |
| 5000+ | 52.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETF12-M3 | Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3 |
на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-10ETF12-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
на замовлення 5251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)