VS-10ETF12FP-M3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.32 грн |
| 10+ | 90.37 грн |
| 100+ | 76.49 грн |
| 500+ | 73.71 грн |
| 1000+ | 71.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12FP-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VS-10ETF12FP-M3 за ціною від 74.40 грн до 212.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETF12FP-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FPCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|