
VS-10ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 216.46 грн |
50+ | 108.45 грн |
100+ | 95.00 грн |
500+ | 86.44 грн |
1000+ | 75.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12FP-M3 за ціною від 79.45 грн до 231.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETF12FP-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-10ETF12FP-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |