VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12STRL-M3 за ціною від 63.17 грн до 177.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-10ETF12STRL-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VS-10ETF12STRL-M3 | Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| VS-10ETF12STRL-M3 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.21 грн |
| 10+ | 100.14 грн |
| 100+ | 73.24 грн |
| VS-10ETF12STRL-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.19 грн |
| 10+ | 116.70 грн |
| 100+ | 73.87 грн |
| 800+ | 63.17 грн |