Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-10ETF12STRL-M3
VS-10ETF12STRL-M3

VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-10etf10s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+72.73 грн
2400+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції VS-10ETF12STRL-M3 за ціною від 85.96 грн до 213.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-10ETF12STRL-M3 VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf10s-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 13862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+132.82 грн
50+101.64 грн
100+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12STRL-M3 VS-10ETF12STRL-M3 Vishay Semiconductors vs-10etf10s-m3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12STRL-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF12STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 13862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.57 грн
10+132.82 грн
50+101.64 грн
100+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12STRL-M3 vs-10etf10s-m3.pdf
VS-10ETF12STRL-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.