VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 64.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-10ETF12STRL-M3 за ціною від 67.92 грн до 190.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-10ETF12STRL-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 6548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VS-10ETF12STRL-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|