на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 144+ | 84.81 грн |
| 151+ | 81.02 грн |
| 250+ | 77.78 грн |
| 500+ | 72.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETS08S-M3 Vishay
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VS-10ETS08S-M3 за ціною від 41.65 грн до 121.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
на замовлення 6817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 8162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |