на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 144+ | 89.72 грн |
| 151+ | 85.71 грн |
| 250+ | 82.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETS08S-M3 Vishay
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VS-10ETS08S-M3 за ціною від 36.44 грн до 133.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263ABPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
на замовлення 6817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 8122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VS-10ETS08S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |