Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-10ETS08S-M3
VS-10ETS08S-M3

VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-10ets08s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.40 грн
50+54.10 грн
100+49.07 грн
500+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції VS-10ETS08S-M3 за ціною від 45.56 грн до 178.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 Vishay Semiconductors vs-10ets08s.pdf Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 8122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+63.91 грн
100+49.84 грн
500+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 VISHAY vs-10ets08s.pdf Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 160A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.80 грн
10+99.87 грн
100+76.59 грн
500+53.32 грн
1000+47.56 грн
5000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS08S-M3 vs-10ets08s.pdf
VS-10ETS08S-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 8122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.70 грн
10+63.91 грн
100+49.84 грн
500+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS08S-M3 vs-10ets08s.pdf
VS-10ETS08S-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 160A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.80 грн
10+99.87 грн
100+76.59 грн
500+53.32 грн
1000+47.56 грн
5000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.