
VS-10ETS12THM3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.98 грн |
10+ | 59.36 грн |
100+ | 47.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-10ETS12THM3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-10ETS12THM3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 10 A, Einfach, 1.1 V, 135 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 135A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VS-10ETS12THM3 за ціною від 49.44 грн до 142.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-10ETS12THM3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 135A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VS-10ETS12THM3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
VS-10ETS12THM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
VS-10ETS12THM3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 160A; TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.1V Application: automotive industry |
товару немає в наявності |