VS-1EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.37 грн |
| 18+ | 17.62 грн |
| 100+ | 10.02 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 6.74 грн |
| 2000+ | 6.31 грн |
| 5000+ | 5.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard.
Інші пропозиції VS-1EFH01HM3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1EFH01HM3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1A 100V Hyprfst Rcfr AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-1EFH01HM3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1A 100V Hyprfst Rcfr AEC-Q101 Qualified
Rectifiers 1A 100V Hyprfst Rcfr AEC-Q101 Qualified
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)