VS-1EFH01HM3/I Vishay Semiconductors
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31 грн |
15+ | 21.62 грн |
100+ | 9.3 грн |
1000+ | 6.44 грн |
2500+ | 5.78 грн |
10000+ | 4.92 грн |
20000+ | 4.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFH01HM3/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-1EFH01HM3/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-1EFH01HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
товар відсутній |