Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VS-1EFH01HM3/I
VS-1EFH01HM3/I

VS-1EFH01HM3/I Vishay Semiconductors

vs-1efh01hm3.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1A 100V Hyprfst Rcfr AEC-Q101 Qualified
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.87 грн
20+16.84 грн
100+10.32 грн
500+7.74 грн
1000+6.00 грн
5000+5.30 грн
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-1EFH01HM3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції VS-1EFH01HM3/I за ціною від 5.80 грн до 27.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-1EFH01HM3/I VS-1EFH01HM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.45 грн
18+17.67 грн
100+10.05 грн
500+7.90 грн
1000+6.76 грн
2000+6.33 грн
5000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01HM3/I VS-1EFH01HM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01HM3\I VS-1EFH01HM3\I Виробник : Vishay Rectifiers Freds - SMF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.