
VS-1EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 28.57 грн |
18+ | 18.39 грн |
100+ | 10.46 грн |
500+ | 8.22 грн |
1000+ | 7.03 грн |
2000+ | 6.59 грн |
5000+ | 6.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-1EFH01HM3/I за ціною від 5.28 грн до 30.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-1EFH01HM3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-1EFH01HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |