VS-1EFH01HM3/I

VS-1EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-1efh01hm3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.57 грн
18+18.39 грн
100+10.46 грн
500+8.22 грн
1000+7.03 грн
2000+6.59 грн
5000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-1EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції VS-1EFH01HM3/I за ціною від 5.28 грн до 30.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-1EFH01HM3/I VS-1EFH01HM3/I Виробник : Vishay Semiconductors vs-1efh01hm3.pdf Rectifiers 1A 100V Hyprfst Rcfr AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.99 грн
18+20.13 грн
100+8.38 грн
1000+6.57 грн
2500+5.89 грн
10000+5.36 грн
20000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1EFH01HM3/I VS-1EFH01HM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.