VS-1EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.96 грн |
| 30000+ | 5.67 грн |
| 50000+ | 4.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VS-1EFU06-M3/I за ціною від 5.98 грн до 30.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1EFU06-M3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers If(AV) 1A Vr 600V Fred Pt |
на замовлення 39604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VS-1EFU06-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 68840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| VS-1EFU06-M3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers If(AV) 1A Vr 600V Fred Pt
Rectifiers If(AV) 1A Vr 600V Fred Pt
на замовлення 39604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.64 грн |
| 20+ | 16.62 грн |
| 100+ | 10.54 грн |
| 500+ | 7.96 грн |
| 1000+ | 6.91 грн |
| VS-1EFU06-M3/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 68840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.64 грн |
| 15+ | 21.33 грн |
| 100+ | 10.74 грн |
| 500+ | 8.93 грн |
| 1000+ | 6.95 грн |
| 2000+ | 6.22 грн |
| 5000+ | 5.98 грн |