на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 840.61 грн |
| 10+ | 704.49 грн |
| 200+ | 440.83 грн |
| 500+ | 412.71 грн |
| 1000+ | 392.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1N3891 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-1N3891
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-1N3891 | Виробник : Vishay |
Fast Recovery Diodes 12A |
товару немає в наявності |
|
|
VS-1N3891 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AAPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |

