VS-20ETF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.2 грн |
50+ | 162.2 грн |
100+ | 139.03 грн |
500+ | 115.98 грн |
1000+ | 99.3 грн |
2000+ | 93.51 грн |
5000+ | 88.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-20ETF06-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 20 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 300 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 60ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-20ETF06-M3 за ціною від 103.52 грн до 238.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-20ETF06-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-20ETF06-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 20 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 300 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VS-20ETF06-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3 |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VS-20ETF06-M3 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 20A 160ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-20ETF06-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 5mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Kind of package: tube Max. forward impulse current: 300A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 5mA Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-20ETF06-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 5mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Kind of package: tube Max. forward impulse current: 300A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 5mA Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Reverse recovery time: 60ns |
товар відсутній |