Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-20ETF06STRL-M3
VS-20ETF06STRL-M3

VS-20ETF06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-20etf02s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+86.61 грн
1600+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-20ETF06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

Інші пропозиції VS-20ETF06STRL-M3 за ціною від 113.47 грн до 220.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-20ETF06STRL-M3 VS-20ETF06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf02s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.14 грн
10+145.43 грн
100+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06STRL-M3 VS-20ETF06STRL-M3 Vishay Semiconductors vs-20etf02s-m3.pdf Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF06STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.14 грн
10+145.43 грн
100+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06STRL-M3 vs-20etf02s-m3.pdf
VS-20ETF06STRL-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.