
VS-20ETF06STRR-M3 Vishay
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 236.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF06STRR-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-20ETF06STRR-M3 за ціною від 254.85 грн до 254.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-20ETF06STRR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
VS-20ETF06STRR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
VS-20ETF06STRR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 160 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
VS-20ETF06STRR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |