VS-20ETF06THM3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.41 грн |
| 10+ | 113.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF06THM3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC, Current - Average Rectified (Io): 20A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220AC.
Інші пропозиції VS-20ETF06THM3 за ціною від 87.26 грн до 232.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-20ETF06THM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220ACCurrent - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 160 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220AC |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|