
VS-20ETF10-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 7688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.21 грн |
10+ | 215.74 грн |
100+ | 140.52 грн |
500+ | 114.77 грн |
1000+ | 108.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF10-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1000V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-20ETF10-M3 за ціною від 104.56 грн до 280.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-20ETF10-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
VS-20ETF10-M3 | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
VS-20ETF10-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |