VS-20ETF10STRL-M3 Vishay
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 112.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF10STRL-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-20ETF10STRL-M3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-20ETF10STRL-M3 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 20A 400ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
VS-20ETF10STRL-M3 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 20A 400ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
VS-20ETF10STRL-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||
VS-20ETF10STRL-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
товар відсутній |
||
VS-20ETF10STRL-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying |
товар відсутній |