Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-20ETF12-M3
VS-20ETF12-M3

VS-20ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-20etfm3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.81 грн
50+158.61 грн
100+144.03 грн
500+111.21 грн
1000+103.51 грн
2000+101.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-20ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-20ETF12-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 320 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 320A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.31V, Sperrverzögerungszeit: 400ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції VS-20ETF12-M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-20ETF12-M3 VS-20ETF12-M3 VISHAY VISH-S-A0014510948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-20ETF12-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 320 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.31V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 12238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12-M3 VS-20ETF12-M3 Vishay Semiconductors vs-20etfm3.pdf Rectifiers 20A 1200V Single Die
на замовлення 7937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12-M3 VISH-S-A0014510948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VS-20ETF12-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-20ETF12-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 320 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.31V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 12238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12-M3 vs-20etfm3.pdf
VS-20ETF12-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 20A 1200V Single Die
на замовлення 7937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.