VS-20ETF12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 8711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.94 грн |
| 10+ | 174.42 грн |
| 100+ | 121.92 грн |
| 500+ | 93.39 грн |
| 1000+ | 86.63 грн |
| 2000+ | 82.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-20ETF12S-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-20ETF12S-M3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 400ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-20ETF12S-M3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 400ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-20ETF12S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
товару немає в наявності |