VS-20ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.90 грн |
| 50+ | 113.39 грн |
| 100+ | 93.31 грн |
| 500+ | 74.09 грн |
| 1000+ | 62.87 грн |
| 2000+ | 59.72 грн |
| 5000+ | 56.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB, Technology: Standard, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Average Rectified (Io): 20A.
Інші пропозиції VS-20ETS08S-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-20ETS08S-M3 | Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 6589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-20ETS08S-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
на замовлення 6589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)