VS-20ETS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 78.61 грн |
| 1600+ | 64.23 грн |
| 2400+ | 61.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V.
Інші пропозиції VS-20ETS08STRL-M3 за ціною від 68.42 грн до 151.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-20ETS08STRL-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-20ETS08STRL-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 6688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| VS-20ETS08STRL-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 20A; D2PAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 300A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 300A Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 1mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| VS-20ETS08STRL-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 20A; D2PAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 300A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 300A Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 1mA |
товар відсутній |