Технічний опис VS-20ETS08STRR-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V.
Інші пропозиції VS-20ETS08STRR-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-20ETS08STRR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-20ETS08STRR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
товару немає в наявності |