VS-20ETS16-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.27 грн |
| 10+ | 178.59 грн |
| 100+ | 128.44 грн |
| 500+ | 113.93 грн |
| 1000+ | 98.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETS16-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V.
Інші пропозиції VS-20ETS16-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-20ETS16-M3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 1.6KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-20ETS16-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V |
товару немає в наявності |