на замовлення 17226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 26.45 грн |
| 21+ | 17.77 грн |
| 100+ | 12.27 грн |
| 500+ | 9.24 грн |
| 1000+ | 7.38 грн |
| 2500+ | 7.30 грн |
| 5000+ | 6.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFH01-M3/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-2EFH01-M3/I за ціною від 6.66 грн до 27.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VS-2EFH01-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 24 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
на замовлення 5952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
VS-2EFH01-M3/I | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
VS-2EFH01-M3/I | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
VS-2EFH01-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 24 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
VS-2EFH01-M3\I | Виробник : Vishay | Rectifiers Freds - SMF |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| VS-2EFH01-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 950mV Max. off-state voltage: 100V Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 10000pcs. Case: DO219AB; SMF Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 25ns Max. forward voltage: 0.95V Load current: 2A |
товару немає в наявності |


