Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-2EFH01-M3/I
VS-2EFH01-M3/I

VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-2efh01-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

Інші пропозиції VS-2EFH01-M3/I за ціною від 11.56 грн до 43.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efh01-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 15149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.23 грн
13+25.59 грн
50+18.62 грн
100+15.33 грн
500+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Vishay Semiconductors vs-2efh01-m3.pdf Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V
на замовлення 16466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I vs-2efh01-m3.pdf
VS-2EFH01-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 15149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.23 грн
13+25.59 грн
50+18.62 грн
100+15.33 грн
500+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I vs-2efh01-m3.pdf
VS-2EFH01-M3/I
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V
на замовлення 16466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.