Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VS-2EFH01-M3/I
VS-2EFH01-M3/I

VS-2EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

vs-2efh01-m3.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V
на замовлення 17226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.75 грн
21+15.96 грн
100+11.02 грн
500+8.30 грн
1000+6.62 грн
2500+6.55 грн
5000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-2EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

Інші пропозиції VS-2EFH01-M3/I за ціною від 6.22 грн до 25.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.88 грн
19+16.77 грн
100+10.05 грн
500+8.15 грн
1000+7.26 грн
2000+6.79 грн
5000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay vs-2efh01-m3.pdf Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3\I VS-2EFH01-M3\I Виробник : Vishay Rectifiers Freds - SMF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.