VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.40 грн |
| 19+ | 16.46 грн |
| 100+ | 9.87 грн |
| 500+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 7.13 грн |
| 2000+ | 6.67 грн |
| 5000+ | 6.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-2EFH01-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-2EFH01-M3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V |
на замовлення 17226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-2EFH01-M3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V
на замовлення 17226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)