Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-2EFH01-M3/I
VS-2EFH01-M3/I

VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-2efh01-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.13 грн
19+17.58 грн
100+10.54 грн
500+8.54 грн
1000+7.61 грн
2000+7.12 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-2EFH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

Інші пропозиції VS-2EFH01-M3/I за ціною від 6.16 грн до 28.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay Semiconductors vs-2efh01-m3.pdf Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V
на замовлення 18063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.64 грн
19+18.97 грн
100+8.66 грн
1000+7.22 грн
2500+6.69 грн
10000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay vs-2efh01-m3.pdf Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay vs-2efh01-m3.pdf Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EFH01-M3/I VS-2EFH01-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.