VS-2EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.56 грн |
| 15+ | 21.12 грн |
| 100+ | 12.67 грн |
| 500+ | 10.25 грн |
| 1000+ | 8.95 грн |
| 2000+ | 8.33 грн |
| 5000+ | 7.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO219AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VS-2EFH01HM3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-2EFH01HM3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 11826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-2EFH01HM3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V AEC-Q101 Qualified
Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)