VS-2EFH02-M3/I VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-2EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 24 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 24ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: VISHAY - VS-2EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 24 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 24ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 15.91 грн |
500+ | 11.1 грн |
1000+ | 7.68 грн |
2500+ | 7.04 грн |
5000+ | 6.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFH02-M3/I VISHAY
Description: VISHAY - VS-2EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 24 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 24ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FRED Pt, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-2EFH02-M3/I за ціною від 6.79 грн до 35.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-2EFH02-M3/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-2EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 24 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 24ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
VS-2EFH02-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 8127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
VS-2EFH02-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers Hypfst Rect 2A 200V |
на замовлення 7359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
VS-2EFH02-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 22ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 0.82V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 22ns Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 8µA Capacitance: 8pF Case: DO219AB; SMF Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.82V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
VS-2EFH02-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
VS-2EFH02-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 22ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 0.82V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 22ns Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 8µA Capacitance: 8pF Case: DO219AB; SMF Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.82V |
товар відсутній |