VS-2EFU06HM3/I Vishay Semiconductors
на замовлення 8138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.10 грн |
| 13+ | 26.73 грн |
| 100+ | 13.98 грн |
| 500+ | 12.95 грн |
| 10000+ | 8.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFU06HM3/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-2EFU06HM3/I за ціною від 61.67 грн до 114.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-2EFU06HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VS-2EFU06HM3/I | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 2A 55ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
VS-2EFU06HM3/I | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 2A 2-Pin SMF T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
VS-2EFU06HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |