VS-2EFU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.84 грн |
| 10+ | 88.43 грн |
| 100+ | 70.39 грн |
| 500+ | 59.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-2EFU06HM3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-2EFU06HM3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers If(AV) 2A Vr 600V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 8138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-2EFU06HM3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers If(AV) 2A Vr 600V AEC-Q101 Qualified
Rectifiers If(AV) 2A Vr 600V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)