Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VS-2EGH02-M3/5BT

VS-2EGH02-M3/5BT Vishay Semiconductors

vs-2egh02-m3.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers FREDS 2A- 200V - SMB-E3
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.73 грн
11+29.51 грн
100+15.37 грн
500+14.26 грн
1000+9.74 грн
2500+8.90 грн
10000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-2EGH02-M3/5BT Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Current - Average Rectified (Io): 2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 23 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції VS-2EGH02-M3/5BT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-2EGH02-M3/5BT VS-2EGH02-M3/5BT Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2egh02-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.