VS-2EGH02-M3/5BT Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.45 грн |
| 11+ | 29.29 грн |
| 100+ | 15.26 грн |
| 500+ | 14.15 грн |
| 1000+ | 9.66 грн |
| 2500+ | 8.84 грн |
| 10000+ | 7.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EGH02-M3/5BT Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Current - Average Rectified (Io): 2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 23 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VS-2EGH02-M3/5BT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
VS-2EGH02-M3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AACurrent - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Current - Average Rectified (Io): 2A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. |
| VS-2EGH02-M3/5BT |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику
од. на суму грн.



;;2.jpg)