VS-2EGH02HM3_A/I

VS-2EGH02HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-2egh02hm3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+28.29 грн
100+19.68 грн
500+14.42 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-2EGH02HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції VS-2EGH02HM3_A/I за ціною від 10.27 грн до 36.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-2EGH02HM3_A/I VS-2EGH02HM3_A/I Виробник : Vishay Semiconductors vs-2egh02hm3.pdf Rectifiers Freds 200V - SMB-e3
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
11+31.14 грн
100+18.86 грн
500+14.75 грн
1000+12.04 грн
2500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EGH02HM3_A/I VS-2EGH02HM3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2egh02hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.