VS-2EMH02-M3/5AT Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.99 грн |
| 14+ | 23.11 грн |
| 100+ | 10.15 грн |
| 1000+ | 7.02 грн |
| 2500+ | 6.26 грн |
| 7500+ | 6.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EMH02-M3/5AT Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VS-2EMH02-M3/5AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-2EMH02-M3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214ACCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 2A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |