VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.94 грн |
| 50+ | 136.27 грн |
| 100+ | 112.11 грн |
| 500+ | 89.03 грн |
| 1000+ | 75.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VS-3C04ET07T-M3 за ціною від 76.00 грн до 264.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220 |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
VS-3C04ET07T-M3 THT Schottky diodes |
на замовлення 989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |