VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.04 грн |
| 50+ | 129.38 грн |
| 100+ | 106.44 грн |
| 500+ | 84.53 грн |
| 1000+ | 71.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції VS-3C04ET07T-M3 за ціною від 58.84 грн до 219.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; tube Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 4A Max. forward impulse current: 26A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL POWER SIC |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-3C04ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|