VS-3C04ET07T-M3

VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-3c04et07t-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.41 грн
50+136.63 грн
100+112.41 грн
500+89.27 грн
1000+75.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції VS-3C04ET07T-M3 за ціною від 66.99 грн до 265.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C04ET07T-M3 VS-3C04ET07T-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-3c04et07t-m3.pdf SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL POWER SIC
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.83 грн
10+117.43 грн
100+93.73 грн
500+76.05 грн
1000+69.50 грн
2000+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 VS-3C04ET07T-M3 Виробник : VISHAY vs-3c04et07t-m3.pdf Description: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.18 грн
10+127.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 Виробник : VISHAY vs-3c04et07t-m3.pdf VS-3C04ET07T-M3 THT Schottky diodes
на замовлення 989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.70 грн
11+110.50 грн
28+104.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 VS-3C04ET07T-M3 Виробник : Vishay vs-3c04et07t-m3.pdf Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.