VS-3C04EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 162.79 грн |
| 10+ | 112.11 грн |
| 100+ | 84.74 грн |
| 500+ | 66.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C04EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-3C04EV07T-M3/I за ціною від 62.32 грн до 187.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C04EV07T-M3/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SlimDPAK Kapazitive Gesamtladung: 12nC Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: eSMP Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-3C04EV07T-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L |
на замовлення 12014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VS-3C04EV07T-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: SlimDPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |