Продукція > VISHAY > VS-3C05ET12S2L-M3
VS-3C05ET12S2L-M3

VS-3C05ET12S2L-M3 Vishay

vs-3c05et12s2l-m3.pdf Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.28 грн
10+223.35 грн
100+142.72 грн
800+131.69 грн
2400+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C05ET12S2L-M3 Vishay

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Schottky - Single, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Max: 5 A, Power Dissipation (Max): 60 W, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції VS-3C05ET12S2L-M3 за ціною від 164.56 грн до 363.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C05ET12S2L-M3 VS-3C05ET12S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c05et12s2l-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.69 грн
10+231.66 грн
100+164.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3 VS-3C05ET12S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c05et12s2l-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.