
VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 206.11 грн |
50+ | 157.02 грн |
100+ | 134.58 грн |
500+ | 112.27 грн |
1000+ | 96.13 грн |
2000+ | 90.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-3C06ET07T-M3 за ціною від 94.17 грн до 225.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-3C06ET07T-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
VS-3C06ET07T-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |