Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-3C06EV07T-M3/I
VS-3C06EV07T-M3/I

VS-3C06EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c06ev07t-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.10 грн
10+141.58 грн
100+104.93 грн
500+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C06EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-3C06EV07T-M3/I за ціною від 76.19 грн до 222.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C06EV07T-M3/I VS-3C06EV07T-M3/I Виробник : Vishay Semiconductors vs-3c06ev07t-m3.pdf SiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.66 грн
10+168.57 грн
100+116.83 грн
500+97.96 грн
1000+84.18 грн
2500+79.82 грн
4500+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/I VS-3C06EV07T-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06ev07t-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/I Виробник : VISHAY vs-3c06ev07t-m3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SlimDPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 0.25µA
Mounting: SMD
Load current: 6A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SlimDPAK
Technology: eSMP®; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.