Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-3C10ET07S2L-M3
VS-3C10ET07S2L-M3

VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c10et07s2l-m.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-3C10ET07S2L-M3 за ціною від 108.97 грн до 342.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.47 грн
10+200.54 грн
50+156.01 грн
100+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors vs-3c10et07s2l-m.pdf SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+342.99 грн
10+174.09 грн
100+137.49 грн
500+111.16 грн
800+108.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 VISHAY 4349297.pdf Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 VISHAY 4349297.pdf Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.47 грн
10+200.54 грн
50+156.01 грн
100+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.99 грн
10+174.09 грн
100+137.49 грн
500+111.16 грн
800+108.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 4349297.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 4349297.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.