VS-3C10ET07T-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.30 грн |
| 10+ | 190.17 грн |
| 1000+ | 164.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C10ET07T-M3 Vishay Semiconductors
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-3C10ET07T-M3 за ціною від 193.88 грн до 407.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C10ET07T-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PINPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V |
на замовлення 3047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| VS-3C10ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
VS-3C10ET07T-M3 THT Schottky diodes |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|