Продукція > VISHAY > VS-3C10ET07T-M3
VS-3C10ET07T-M3

VS-3C10ET07T-M3 VISHAY

vs-3c10et07t-m3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.49 грн
10+224.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C10ET07T-M3 VISHAY

Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції VS-3C10ET07T-M3 за ціною від 186.07 грн до 375.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
10+324.02 грн
100+265.49 грн
500+212.10 грн
1000+186.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 Vishay Semiconductors vs-3c10et07t-m3.pdf SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 VISHAY 4349298.pdf Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 vs-3c10et07t-m3.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.01 грн
10+324.02 грн
100+265.49 грн
500+212.10 грн
1000+186.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 vs-3c10et07t-m3.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 4349298.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.