Продукція > VISHAY > VS-3C10ET12S2L-M3

VS-3C10ET12S2L-M3 Vishay



Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C10ET12S2L-M3 Vishay

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 1.5V, Max. forward impulse current: 84A, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 94W.

Інші пропозиції VS-3C10ET12S2L-M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-3C10ET12S2L-M3 VS-3C10ET12S2L-M3 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.